富士IGBT模塊7MBI40N-120

型號：	7MBI40N-120
報價：	999

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

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詳細資料：

北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售富士7單元IGBT模塊7MBI40N-120

Features
· High Speed Switching
· Voltage Drive
· Low Inductance Module Structure
· Dynamic Brake Circuit

日本fuji富士 IGBT 模塊7單元600V系列：
7MBI100SA-060	7MBI150SA-060	7MBI200SA-060	7MBI150U2E-060
7MBI200U2E-060	7MBI75SA120	7MBI100SA120	7MBI100UE120
7MBI75N-060	7MBI100N-060	7MBI40N-120	7MBI50N-120