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供應fuji富士igbt模塊1MBI600LP-060
北京京誠宏泰科技有限公司代理富士1單元igbt模塊1MBI600LP-060主要用于通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 突波吸收電容等元件。業務遍及通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 、UPS UPS、變頻與傳動、電 、變頻與傳動、電動汽車、電力統 動汽車、電力統SVG無功補償裝置、 無功補償裝置、 UPS UPS逆變器 逆變器/UPS/EPS /UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、
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供應fuji富士igbt模塊1MBI400L-060
北京京誠宏泰科技有限公司代理富士1單元igbt模塊1MBI400L-060主要用于通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 突波吸收電容等元件。業務遍及通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 、UPS UPS、變頻與傳動、電 、變頻與傳動、電動汽車、電力統 動汽車、電力統SVG無功補償裝置、 無功補償裝置、 UPS UPS逆變器 逆變器/UPS/EPS /UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、
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供應fuji富士igbt模塊1MBI200L-060
北京京誠宏泰科技有限公司代理富士1單元igbt模塊1MBI200L-060主要用于通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 突波吸收電容等元件。業務遍及通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 、UPS UPS、變頻與傳動、電 、變頻與傳動、電動汽車、電力統 動汽車、電力統SVG無功補償裝置、 無功補償裝置、 UPS UPS逆變器 逆變器/UPS/EPS /UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、
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供應fuji富士igbt模塊
北京京誠宏泰科技有限公司代理富士1單元igbt模塊1MBI600LN-060主要用于通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 突波吸收電容等元件。業務遍及通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 、UPS UPS、變頻與傳動、電 、變頻與傳動、電動汽車、電力統 動汽車、電力統SVG無功補償裝置、 無功補償裝置、 UPS UPS逆變器 逆變器/UPS/EPS /UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、
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供應富士igbt模塊1MBI400F-060
北京京誠宏泰科技有限公司代理富士1單元igbt模塊1MBI400F-060主要用于通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 突波吸收電容等元件。業務遍及通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 、UPS UPS、變頻與傳動、電 、變頻與傳動、電動汽車、電力統 動汽車、電力統SVG無功補償裝置、 無功補償裝置、 UPS UPS逆變器 逆變器/UPS/EPS /UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、
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供應富士igbt模塊1MBI300F-060
北京京誠宏泰科技有限公司代理富士1單元igbt模塊1MBI300F-060主要用于通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 突波吸收電容等元件。業務遍及通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 、UPS UPS、變頻與傳動、電 、變頻與傳動、電動汽車、電力統 動汽車、電力統SVG無功補償裝置、 無功補償裝置、 UPS UPS逆變器 逆變器/UPS/EPS /UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、
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FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50
FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50，N通道 IGBT 模塊 發射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
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富士IGBT模塊7MBI40N-120
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小
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富士IGBT模塊2MBI300N-060
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小
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富士1單元IGBT模塊1MBI300S-120
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小
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